30V低壓MOS管 4406A SOP-8 貼片場效應(yīng)管 MOS管4406A
30V低壓MOS管 4406A的特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=12A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
封裝：SOP-8
30V低壓MOS管 4406A的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
30V低壓MOS管 4406A的管腳圖：
30V低壓MOS管 4406A的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDSS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGSS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 12 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=70℃) | 8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 48 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 16 | mJ |
| PD | 總耗散功率(TA=25℃) | 3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 56 | ℃/W |
| TJ,TSTG | 工作結(jié)溫和存儲溫度 | -55~+150 | ℃ |
30V低壓MOS管 4406A的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=13A | 8.5 | 12 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 13 | 18 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=30V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 6.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 900 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 140 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 120 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 5 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 25 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 7 |
30V低壓MOS管 4406A的封裝外形尺寸：
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