MOS場效應(yīng)管 100N03 TO-263 貼片MOSFET參數(shù) 30V100A 低壓MOS
MOS場效應(yīng)管 100N03的引腳圖:
MOS場效應(yīng)管 100N03的特點:
VDS=30V
ID=100A
RDS(ON)<4.2mΩ@VGS=10V
封裝:TO-263
MOS場效應(yīng)管 100N03的應(yīng)用:
功率切換應(yīng)用程序
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源
MOS場效應(yīng)管 100N03的極限參數(shù):
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:30V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) ID:90A
漏極電流-脈沖 IDM:320A
單脈沖雪崩能量 EAS:225mJ
總耗散功率 (TC=25℃) PD:176W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:175℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:1.67℃/W
MOS場效應(yīng)管 100N03的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=40A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.2 | 6.5 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TC=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TC=125℃ | 100 | ||||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 VGS=10V | 36 | nC | ||
柵極電荷 VGS=4.5V | 18.5 | ||||
Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 8 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1720 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 220 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 165 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 13.5 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 15 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 20 | |||
tf | 開啟下降時間 | 14 |
MOS場效應(yīng)管 100N03的封裝外形尺寸圖: