電池保護(hù)用MOS管 90N03 TO-252 30V/90A 低內(nèi)阻MOS 貼片場效應(yīng)管
貼片場效應(yīng)管 90N03的管腳圖：
貼片場效應(yīng)管 90N03的特點：
VDS=30V
ID=90A
RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
封裝：TO-252
貼片場效應(yīng)管 90N03的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
貼片場效應(yīng)管 90N03的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 90 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 52.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 190 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 54 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 27 | ||
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 225 | mJ |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~+175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+175 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.8 | ℃/W |
貼片場效應(yīng)管 90N03的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 32 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=15A | 3.9 | 5.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 4.7 | 6 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 1.4 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=30V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 54 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 10.2 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2504 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 323 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 283 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 11.4 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 20.4 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 41 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 25 |
貼片場效應(yīng)管 90N03的封裝外形尺寸圖：
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
