中低壓MOS管 20N03 SOP-8 MOSFET的主要參數(shù) MOS管20N03
中低壓MOS管 20N03的引腳圖：
中低壓MOS管 20N03的應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
中低壓MOS管 20N03的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 20 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 50 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 8.1 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 12.7 | A |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 20.8 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 2 | ||
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 6 |
中低壓MOS管 20N03的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=10A | 18 | 25 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=8A | 25 | 38 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1 | 1.2 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 4.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.66 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.85 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 416 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 62 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 51 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 1.6 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 15.8 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 13 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4.8 |
中低壓MOS管 20N03的封裝外形尺寸：
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