國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 65N03 MOSFET主要參數(shù) 場(chǎng)效應(yīng)管引腳圖
國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 65N03的引腳配置圖:
國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 65N03的應(yīng)用領(lǐng)域:
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國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 65N03的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:30V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:65A
漏極電流-脈沖 IDM:100A
單脈沖雪崩能量 EAS:28.8mJ
雪崩電流 IAS:24A
總耗散功率 PD:24W
存儲(chǔ)溫度 TSTG:-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ:-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA:60℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:5.2℃/W
國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 65N03的電特性:
(如無(wú)特殊說(shuō)明,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 37 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 5 | 7 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 6.9 | 9 | |||
VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 2.4 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 3.2 | |||
Ciss | 輸入電容 | 814 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 498 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 41 | |||
td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 7.1 | ns | ||
tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 40 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 15 | |||
tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 6 |
國(guó)產(chǎn)低壓MOS管 65N03的封裝外形尺寸: