N溝道MOSFET 60N03 PDFN3X3-8L 低內(nèi)阻場效應(yīng)管 MOS管60N03
N溝道MOSFET 60N03的引腳配置圖:
N溝道MOSFET 60N03的應(yīng)用:
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N溝道MOSFET 60N03的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | V |
VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 60 | A |
IDM | 漏極電流-脈沖 | 92 | |
EAS | 單脈沖雪崩能量 | 57.8 | mJ |
IAS | 雪崩電流 | 34 | A |
PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 29 | W |
總耗散功率 TA=25℃ | 1.67 | ||
TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 75 | ℃/W |
RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4.32 |
N溝道MOSFET 60N03的電特性:
(如無特殊說明,Tj=25℃)
符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=12A | 7 | 8.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 10 | 13 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 12.8 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 3.3 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.5 | |||
Ciss | 輸入電容 | 1317 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 163 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 131 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 4.5 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 10.8 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 25.5 | |||
tf | 開啟下降時間 | 9.6 |
N溝道MOSFET 60N03的封裝外形尺寸: