低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 15N03 SOP-8 MOSFET型號(hào)參數(shù) MOS管15N03
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 15N03的特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=15A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V
封裝：SOP-8
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 15N03的引腳圖：
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 15N03的應(yīng)用：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 15N03的極限值：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：15A
漏極電流-脈沖 IDM：25A
單脈沖雪崩能量 EAS：8mJ
雪崩電流 IAS：12.7A
總耗散功率 PD：1.5W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：25℃/W
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 15N03的電特性：
(如無(wú)特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A | 24 | 28 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=4A | 34 | 40 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 6 | 8.4 | nC | |
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | 3.5 | ||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.1 | 2.9 | ||
| Ciss | 輸入電容 | 572 | 800 | pF | |
| Coss | 輸出電容 | 81 | 112 | ||
| Crss | 反向傳輸電容 | 65 | 91 | ||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 2.4 | 4.8 | ns | |
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 7.8 | 14 | ||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 22 | 44 | ||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 4 | 8 |
低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 15N03的參數(shù)特性曲線圖：
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