60N02 TO-252 低壓N溝道MOS管 MOS管選型 場(chǎng)效應(yīng)管引腳排列
低壓N溝道MOS管 60N02的引腳圖:
低壓N溝道MOS管 60N02的應(yīng)用:
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
低壓N溝道MOS管 60N02的極限參數(shù):
(如無(wú)特殊要求,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:20V
柵極-源極電壓 VGS:±12V
漏極電流-連續(xù) ID:60A
漏極電流-脈沖 IDM:210A
總耗散功率 PD:57W
單脈沖雪崩能量 EAS:56.2mJ
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 TJ,TSTG:-55~175℃
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC:2.63℃/W
低壓N溝道MOS管 60N02的電特性:
(如無(wú)特殊要求,TC=25℃)
符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 24 | V | |
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=30A | 4.1 | 5.5 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=20A | 7.4 | 9 | |||
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
IDSS | 零柵壓漏極電流 | 1 | uA | ||
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 32 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 11 | |||
Ciss | 輸入電容 | 2500 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 407 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 386 | |||
td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 17 | ns | ||
tr | 開啟上升時(shí)間 | 49 | |||
td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 74 | |||
tf | 開啟下降時(shí)間 | 26 |
低壓N溝道MOS管 60N02的封裝外形尺寸圖: