低壓NMOS 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 20N02 場(chǎng)效應(yīng)管封裝絲印
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 20N02的引腳配置圖：
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 20N02的特點(diǎn)：
VDS=20V
ID=20A
RDS(ON)＜8mΩ@VGS=10V
封裝：PDFN3X3-8L
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 20N02的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 20N02的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊要求，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDSS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGSS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 20 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 15 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 60 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 31 | W |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 36 | mJ |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+175 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+175 | |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 4.84 | ℃/W |
國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 20N02的電特性：
(如無(wú)特殊要求，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| V(BR)DSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=25A | 6.1 | 8 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=10A | 8.8 | 13 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 0.4 | 0.7 | 1.1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=20V，VGS=0V | 1 | uA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6.4 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1458 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 238 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 212 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 10 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 21 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 39 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 19 |
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