MOS管60N03 TO-252 貼片場效應(yīng)管 60N03
MOS管 60N03的引腳圖:
MOS管 60N03的應(yīng)用領(lǐng)域:
負(fù)載開關(guān)
MOS管 60N03的極限值(除非有特殊要求,TA=25℃):
漏極-源極電壓 VDSS:30V
柵極-源極電壓 VGSS:±20V
漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) ID:60A
漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) ID:37A
功耗(TC=25℃) PD:54W
功耗(TC=100℃) PD:21W
結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度范圍 TJ/TSTG:-55~150℃
MOS管 60N03的電特性(除非有特殊要求,TA=25℃):
參數(shù) | 符號(hào) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 30 | V | ||
柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1 | 1.7 | 3 | |
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=20V,VGS=0V | 1 | uA | ||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=15A | 8.5 | 10 | mΩ | |
VGS=4.5V,ID=15A | 12 | 15 | ||||
輸入電容 | Ciss | VGS=0V,VDS=30V,f=1MHz | 920 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 187 | ||||
反向傳輸電容 | Crss | 130 | ||||
開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=15V,RL=30Ω ID=15A,VGS=10V RG=6Ω | 15 | ns | ||
開啟上升時(shí)間 | tr | 25 | ||||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 60 | ||||
開啟下降時(shí)間 | tf | 17 | ||||
柵源電荷密度 | Qgs | VDS=15V,VGS=10V,ID=15A | 5 | nC | ||
柵漏電荷密度 | Qgd | 6.5 |
MOS管 60N03的封裝尺寸圖: