貼片MOS管 12N10 TO-252 國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10
國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的應(yīng)用領(lǐng)域:
消費(fèi)電子電源
電機(jī)控制
同步整流
國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的極限值:
漏極-源極電壓 VDS:100V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續(xù) ID:12A
功耗 PD:17W
雪崩能量 EAS:1.2mJ
存儲(chǔ)溫度,結(jié)溫 Tstg,Tj:-55~+150℃
國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的電特性:
參數(shù) | 符號(hào) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.5 | 2.5 | ||
柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V | ±100 | nA | ||
零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | uA | ||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=5A | 110 | 140 | mΩ | |
VGS=4.5V,ID=3A | 160 | 300 | ||||
輸入電容 | Ciss | VGS=0V,VDS=50V,f=100KHz | 206.1 | pF | ||
輸出電容 | Coss | 28.9 | ||||
反向傳輸電容 | Crss | 1.4 | ||||
開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VGS=10V,VDS=50V RG=2Ω,ID=5A | 14.7 | ns | ||
開啟上升時(shí)間 | tr | 3.5 | ||||
關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | 20.9 | ||||
開啟下降時(shí)間 | tf | 2.7 | ||||
柵源電荷密度 | Qgs | VDS=50V,VGS=10V,ID=5A | 1.5 | nC | ||
柵漏電荷密度 | Qgd | 1.1 |
國產(chǎn)場效應(yīng)管 12N10的封裝外形尺寸: