高壓功率MOS管 FIR9N65LG TO-252 貼片MOSFET
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的引腳圖:
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的極限值:
參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值 | 單位 |
漏極-源極電壓 | VDSS | 650 | V |
柵極-源極電壓 | VGSS | +30 | |
漏極電流-連續(xù) | ID | 9 | A |
漏極電流-脈沖 | IDM | 18 | |
功耗 | PD | 55 | W |
結(jié)溫 | TJ | +150 | ℃ |
存儲(chǔ)溫度 | TSTG | -55~+150 |
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的電特性:
符號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | VGS=0V,ID=250μA | 650 | V | ||
IDSS | 零柵壓漏極電流 | VDS=650V,VGS=0V | 10 | μA | ||
RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | VGS=10V,ID=4.5A | 1 | Ω | ||
VGS(TH) | 柵極開啟電壓 | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 4 | V |
高壓功率MOS管 FIR9N65LG的封裝外形尺寸: