64K存儲芯片 24C64 中文資料 存儲電路引腳圖
64K存儲芯片 24C64的描述：
24C64是一個是一個電可擦除PROM，采用8192 X 8(64K bits)的組織結構以及兩線串行接口。電壓可允許低至1.8V，待機電流和工作電流分別為1μA和1mA。24C64具有頁寫能力，每頁為32字節(jié)。24C64具有8-pin DIP和8-pin SOP 兩種封裝形式。
64K存儲芯片 24C64的引腳圖：
64K存儲芯片 24C64的特點：
寬范圍的工作電壓：1.8V~5.5V
低電壓技術
1mA典型工作電流
1μA典型待機電流
存儲器組織結構：8192 X 8(32K bits)
2線串行接口，完全兼容I2C總線
I2C時鐘頻率為1MHz(5V),400kHz(1.8V、2.5V、2.7V)
施密特觸發(fā)輸入噪聲抑制
硬件數(shù)據(jù)寫保護
內(nèi)部寫周期(最大5ms)
可按字節(jié)寫
頁寫：32字節(jié)頁
可按字節(jié)，隨機和序列讀
自動遞減地址
ESD保護大于2.5kV
高可靠性
擦寫壽命：100萬次
數(shù)據(jù)保持時間：100年
封裝形式：DIP-8、SOP-8
無鉛工藝，符合RoHS標準
64K存儲芯片 24C64的應用：
智能儀器儀表
工業(yè)控制
家用電器
計算機、筆記本電腦
汽車電子
通信設備
64K存儲芯片 24C64的極限值：
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 直流供電電壓 | VCC | -0.3~+6.5 | V |
| 直流輸入電壓 | VIN | -0.3~VCC+0.3 | |
| 直流輸出電壓 | VOUT | -0.3~VCC+0.3 | |
| 存儲溫度 | TSTG | -65~+150 | ℃ |
| ESD電壓(人體模型) | VESD | 2500 | V |
| ESD電壓(機器模型) | 200 |
64K存儲芯片 24C64的直流電氣特性：
條件：TA=0℃~+70℃，VCC=+1.8V~+5.5V，除非另有注釋
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 供電電流 | ICC | VCC=5V，100kHz 讀 | 0.4 | 1 | mA | |
| VCC=5V，100kHz 寫 | 2 | 3 | ||||
| 待機電流 | ISB | VIN=VCC或GND | 1 | μA | ||
| 輸入漏電流 | ILI | VIN=VCC或GND | 3 | |||
| 輸出漏電流 | ILO | VOUT=VCC或GND | 0.05 | 3 | ||
| 輸入低電平電壓 | VIL | -0.6 | VCC x 0.3 | V | ||
| 輸入高電平電壓 | VIH | VCC x 0.7 | VCC+ 0.5 | |||
| 輸出低電平電壓 | VOL3 | VCC=5V,IOL=3mA | 0.4 | |||
| VOL2 | VCC=3V,IOL=2.1mA | 0.4 | ||||
| VOL1 | VCC=1.8V,IOL=0.15mA | 0.2 |
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