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國(guó)產(chǎn)可控硅替換 MCR100-8 SOT-23-3L 貼片晶閘管 微觸發(fā)單向可控硅

國(guó)產(chǎn)可控硅替換 MCR100-8的產(chǎn)品特征：

• PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

• 門(mén)極靈敏觸發(fā)

• P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

• 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

• 背面多層金屬電極

• 符合 RoHS 規(guī)范

• 封裝形式：SOT-23-3L
  

國(guó)產(chǎn)可控硅替換 MCR100-8的應(yīng)用領(lǐng)域：

        MCR100-8的單向可控硅應(yīng)用于：脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動(dòng)、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動(dòng)等等。

國(guó)產(chǎn)可控硅替換 MCR100-8的極限值(T_CASE=25℃)：

• 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM：600/800V

• 通泰平均電流 I_T(AV)：0.5A

• 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS)：0.8A

• 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM：8A

• I²t值：0.32A²s

• 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt：50A/μs

• 門(mén)極峰值電流 I_GM：0.2A

• 門(mén)極峰值功率 P_GM：0.5W

• 門(mén)極平均功率 P_G(AV)：0.1W

• 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-40~+150℃

• 工作結(jié)溫 T_j：-40~+110℃

國(guó)產(chǎn)可控硅替換 MCR100-8的電特性：