800V/4A雙向晶閘管 三端雙向可控硅 調速用可控硅 T410 TO-220F
調速用可控硅 T410的產品特征：
NPNPN 五層結構的硅雙向器件
P 型對通擴散隔離
臺面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
工作結溫高，換向能力強
高電壓變化率 dV/dt
大電流變化率 dI/dt
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式：TO-220F
調速用可控硅 T410的應用領域：
T410雙向可控硅應用于：加熱控制器、馬達調速控制器、麻將機、攪拌機、直發(fā)器、面包機等家用電器。
調速用可控硅 T410的極限值(TCASE=25℃)：
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態(tài)重復峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態(tài)均方根電流 | 4 | A |
| ITSM | 通態(tài)不重復浪涌電流 | 30 | |
| I2t | I2t值 | 5.1 | A2s |
| dIT/dt | 通態(tài)電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 4 | A |
| PGM | 門極峰值功率 | 4 | W |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 1 | |
| Tstg | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結溫 | -40~+125 |
調速用可控硅 T410的電特性：
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| IGT | 門極觸發(fā)電流 | ≤10 | mA |
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V |
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | |
| IH | 維持電流 | ≤15 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III | ≤25 | |
擎住電流 II | ≤30 | ||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥40 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V |
| IDRM/IRRM | 斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | ≤5 | μA |
斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | ≤1 | mA |
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