210A功率MOSFET FIR210N06PG TO-220 福斯特60V增強型場效應管
210A功率MOSFET FIR210N06PG的極限值：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 60 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續(xù) | ID | 210 | A |
漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 148 | ||
| 漏記電流-脈沖 | IDM | 840 | |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 1800 | mJ |
| 功耗 | PD | 330 | W |
| 工作結(jié)溫 | TJ | -55~175 | ℃ |
| 存儲溫度范圍 | TSTG | -55~175 |
210A功率MOSFET FIR210N06PG的電特性：
（如無特殊說明，TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 60 | 68 | V | |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 4 | mΩ | ||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=25V,VGS=0V, F=1.0MHz | 11000 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 1120 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 950 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=30V,ID=2A, RL=15Ω,RG=2.5Ω, VGS=10V | 40 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 38 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 140 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 60 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDD=30V,ID=30A, VGS=10V | 250 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 48 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 98 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實力技術支持新聞資訊關于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進入手機網(wǎng)站 
掃二維碼進入微信 
