常見單向可控硅出現(xiàn)損壞的原因是什么？

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-11-17 15:10:44點擊：6次

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       單向可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。那么常見單向可控硅出現(xiàn)損壞的原因是什么？

  

       1、電壓擊穿。

       晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。

       2、電流損壞。

       電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。

       3 電流上升率損壞。

       其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

       4、 邊緣損壞。

       他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

       5、G-K 電壓擊穿。

       晶閘管 G-K 間因不能承受反向電壓（12V）而損壞，其芯片 G-K 間有燒焦的通路（短路痕跡）。

  
  

  
  

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