國產(chǎn)低壓MOS管 5N10 SOT89-3L 100V/5A 貼片場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-09-11 11:04:15點擊：6次

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  國產(chǎn)低壓MOS管 5N10 SOT89-3L 100V/5A 貼片場效應(yīng)管

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 5N10的管腳配置圖：

  

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 5N10的產(chǎn)品特點：

  • V_DS=100V

  • I_D=5A

  • R_DS(ON)＜110mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：SOT89-3L

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 5N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 鋰電充電

  • 手機快充

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 5N10的極限參數(shù)：

  (如無特殊說明，T_C=25℃)

  • 漏極-源極電壓 V_DS：100V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) I_D：5A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：15A

  • 總耗散功率 P_D：3.5W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：85℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：40℃/W

  • 存儲溫度 T_STG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃
    

  
  

  
  

  國產(chǎn)低壓MOS管 5N10的電特性：

  (如無特殊說明，T_C=25℃)

  

  
  

  
  

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