達(dá)林頓芯片半導(dǎo)體器件是一種電子部件,它依賴于電子一個(gè)的特性的半導(dǎo)體材料(主要是硅、鍺和砷化鎵,以及有機(jī)半導(dǎo)體),用于其功能。在大多數(shù)應(yīng)用中,半導(dǎo)體器件已取代了真空管。他們使用電傳導(dǎo)的固態(tài)而不是氣態(tài)或熱離子發(fā)射在一個(gè)真空。使用達(dá)林頓芯片半導(dǎo)體器件哪些常用材料?
到目前為止,硅(Si)是半導(dǎo)體器件中使用廣泛的材料。它具有較低的原材料成本,相對(duì)簡(jiǎn)單的工藝以及有用的溫度范圍,這使其成為目前各種競(jìng)爭(zhēng)材料中好的折衷方案。在半導(dǎo)體器件制造中使用的硅目前制造成晶錠是足夠大的直徑,以允許生產(chǎn)300毫米(12英寸)的晶片。
鍺(Ge)是一種廣泛使用的早期半導(dǎo)體材料,但是其熱敏性使其不如硅有用。如今,鍺通常與硅合金化,用于超高速SiGe器件中。IBM是此類設(shè)備的主要生產(chǎn)商。
砷化鎵(GaAs)也廣泛用于高速設(shè)備中,但到目前為止,很難形成這種材料的大直徑團(tuán)塊,從而將晶圓直徑限制為明顯小于硅晶圓的尺寸,從而實(shí)現(xiàn)了GaAs器件的批量生產(chǎn)比硅要貴得多。其他較不常見的材料也正在使用或研究中。
碳化硅(SiC)已作為藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)的原料得到了一些應(yīng)用,并且正在研究用于半導(dǎo)體設(shè)備中,這些設(shè)備可以承受很高的工作溫度和存在大量電離輻射的環(huán)境。IMPATT二極管也已經(jīng)由SiC制成。
各種銦化合物(砷化銦,銻化銦和磷化銦)也正在LED和固態(tài)激光二極管中使用。硫化硒 正在光伏太陽(yáng)能電池的制造中得到研究。有機(jī)半導(dǎo)體常見的用途是有機(jī)發(fā)光二極管。
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