10N65 10A/650V高壓MOS管 MOS管10N65 國產(chǎn)場效應(yīng)管型號

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-18 11:37:27點擊：6次

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  10N65 10A/650V高壓MOS管 MOS管10N65 國產(chǎn)場效應(yīng)管型號

  
  

  
  

  國產(chǎn)場效應(yīng)管型號 10N65的應(yīng)用：

  • 不間斷電源(UPS)

  • 功率因數(shù)補償(PFC)

  
  

  
  

  國產(chǎn)場效應(yīng)管型號 10N65的特點：

  • V_DS=650V

  • I_D=10A

  • R_DS(ON)＜0.8Ω@V_GS=10V

  • 封裝：TO-220、TO-220F

  
  

  
  

  國產(chǎn)場效應(yīng)管型號 10N65的引腳圖：

  

  
  

  

  
  

  
  

  國產(chǎn)場效應(yīng)管型號 10N65的極限參數(shù)：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	650	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±30
  ID	漏極電流-連續(xù)	10	A
  IDM	漏極電流-脈沖	38
  PD	總耗散功率 TC=25℃	65W(TO-220F) 147W(TO-220)	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	562	mJ
  EAR	重復雪崩能量	45
  IAR	雪崩電流	7.5	A

  
  

  
  

  國產(chǎn)場效應(yīng)管型號 10N65的電特性：

  (如無特殊要求，T_A=25℃)

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	650			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=10V,ID=5A		0.65	0.8	Ω
  VGS(th)	柵極開啟電壓	3		4	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=520V，VGS=0V，TJ=125℃			100
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		35		nC
  Qgs	柵源電荷密度		7
  Qgd	柵漏電荷密度		18
  Ciss	輸入電容		1264		pF
  Coss	輸出電容		149
  Crss	反向傳輸電容		18
  td(on)	開啟延遲時間		23		ns
  tr	開啟上升時間		15
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		90
  tf	開啟下降時間		30

  
  

  
  

  國產(chǎn)場效應(yīng)管型號 10N65的參數(shù)特性曲線圖：

  

  
  

  

  
  

  
  

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