MOS管7N65 塑封場(chǎng)效應(yīng)管 7N65 TO-220F 高壓MOSFET

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-02-24 14:03:41點(diǎn)擊：6次

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  MOS管7N65 塑封場(chǎng)效應(yīng)管 7N65 TO-220F 高壓MOSFET

  
  

  
  

  塑封場(chǎng)效應(yīng)管 7N65的特點(diǎn)：

  • 快速交換

  • 低內(nèi)阻

  • 低電荷

  • 低反向傳輸電容

  • 封裝：TO-220F
    

  
  

  
  

  塑封場(chǎng)效應(yīng)管 7N65的應(yīng)用：

  • 不間斷電源（UPS）

  • 功率因素校正（PFC）
    

  
  

  
  

  塑封場(chǎng)效應(yīng)管 7N65的引腳配置圖：

  

  
  

  
  

  塑封場(chǎng)效應(yīng)管 7N65的極限參數(shù)：

  （除非有特殊要求，Ta=25℃）

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	VDS	650	V
  柵極-源極電壓	VGS	±30
  漏極電流-連續(xù) (TC=25℃)	ID	7	A
  漏極電流-連續(xù) (TC=100℃)		4.4
  漏極電流-脈沖	IDM	28
  功耗	PD	35	W
  雪崩能量	EAS	350	mJ
  工作結(jié)溫	TJ	-55~+150	℃
  存儲(chǔ)溫度	TSTG	-55~+150

  
  

  
  

  塑封場(chǎng)效應(yīng)管 7N65的電特性：
  

  （除非有特殊要求，Ta=25℃）

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	650			V
  零柵壓漏極電流 (25℃,VDS=650V,VGS=0V)	IDSS			1	uA
  零柵壓漏極電流 (125℃,VDS=520V,VGS=0V)				100
  零柵壓漏極電流 (150℃,VDS=520V,VGS=0V)				100
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  柵極開啟電壓	VGS(th)	2		4	V
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (VGS=10V,ID=2A)	RDS(ON)		1.2	1.4	Ω
  輸入電容	Ciss		1130		PF
  輸出電容	Coss		93
  反向傳輸電容	Crss		5.5
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		19		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		21
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		42
  開啟下降時(shí)間	tf		19
  總柵極電荷	Qg		24		nC
  柵源電荷密度	Qgs		5.1
  柵漏電荷密度	Qgd		9.5

  
  

  
  

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