8726 低壓MOS管型號(hào) MOS管8726 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管替代

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-01-29 17:05:54點(diǎn)擊：6次

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  8726 低壓MOS管型號(hào) MOS管8726 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管替代

  
  

  
  

  低壓MOS管型號(hào) 8726的特點(diǎn)：

  • 低導(dǎo)通電阻和大直流電流能力

  • 超高元胞密度設(shè)計(jì)

  • 封裝形式：TO-252
    

  
  

  
  

  低壓MOS管型號(hào) 8726的應(yīng)用：

  • 筆記本電源管理

  • 便攜式設(shè)備

  • 電池電源系統(tǒng)

  • DC/DC 變換

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用
    

  
  

  
  

  低壓MOS管型號(hào) 8726的引腳圖：

  

  
  

  
  

  低壓MOS管型號(hào) 8726的額定值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù)	ID	86	A
  漏極電流-脈沖	IDM	140
  總耗散功率	PTOT	75	W
  熱阻，結(jié)到環(huán)境	RθJA	2.4	℃/W
  結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低壓MOS管型號(hào) 8726的電特性：

  （如無(wú)特殊說(shuō)明，T_A=25℃）

  參數(shù)	符號(hào)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	30			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	1.35	1.6	2.35
  零柵壓漏極電流	IDSS			1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (ID=40A,VGS=10V)	RDS(ON)		4.6	5.8	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (ID=30A,VGS=7V)			5.1	6.8
  漏極-源極電流	ISD			20	A
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1.2	V
  輸入電壓	CISS		1335		pF
  共源輸出電容	COSS		210
  回饋電容	CRSS		140
  柵源電荷密度	Qgs		5		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		10
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		11		ns
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		30
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		24
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		6

  
  

  
  

  低壓MOS管型號(hào) 8726的參數(shù)特性曲線圖：

  

  
  

  
  

  低壓MOS管型號(hào) 8726的封裝外形尺寸圖：

  

  
  

  
  

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