國產(chǎn)MOS管 40V場效應(yīng)管 100N04 電池保護(hù)用MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-01-12 11:33:39點(diǎn)擊：6次

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  國產(chǎn)MOS管 40V場效應(yīng)管 100N04 電池保護(hù)用MOS管

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 100N04的管腳圖：

  

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 100N04的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 100N04的極限參數(shù)：

  （如無特殊說明，T_C=25℃）
  

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	40	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù)	100	A
  IDM	漏極電流-脈沖	150
  EAS	單脈沖雪崩能量	110.5	mJ
  IAS	雪崩電流	47	A
  PD	總耗散功率	52.1	W
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	熱阻，結(jié)到環(huán)境	62	℃/W
  RθJC	熱阻，結(jié)到管殼	2.4

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 100N04的電特性：

  （如無特殊說明，T_j=25℃）

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	40			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 （VGS=10V,ID=15A）		4.5	6.5	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 （VGS=4.5V,ID=12A）		5.8	9
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1		2.5	V
  Qg	柵極總電荷		28		nC
  Qgs	柵源電荷密度		7.85
  Qgd	柵漏電荷密度		12.5
  td(on)	關(guān)斷延遲時(shí)間		20.2		ns
  tr	開啟上升時(shí)間		11.8
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		84.8
  tf	開啟下降時(shí)間		8.6
  Ciss	輸入電容		3354		pF
  Coss	輸出電容		275
  Crss	反向傳輸電容		204

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 100N04的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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