大電流MOSFET 150N03 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管150N03

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-12-26 09:56:44點(diǎn)擊：6次

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  大電流MOSFET 150N03 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管150N03

  
  

  
  

  

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 150N03的應(yīng)用：

  • 電池保護(hù)

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 150N03的極限參數(shù)：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	30	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	155	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	110
  IDM	漏極電流-脈沖	310	A
  EAS	單脈沖雪崩能量	246	mJ
  IAS	雪崩電流	70.2	A
  PD	功耗	89.3	W
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~175	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~175

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 150N03的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	30			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 （VGS=10V,ID=30A）		2.2	3	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 （VGS=4.5V,ID=15A）		3.2	4
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1		2.5	V
  gfs	正向跨導(dǎo)		60		S
  Qg	柵極總電荷		56.9		nC
  Qgs	柵源電荷密度		13.8
  Qgd	柵漏電荷密度		23.5
  Ciss	輸入電容		5935		pF
  Coss	輸出電容		725
  Crss	反向傳輸電容		538

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 150N03的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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