低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H EDFN5X6 貼片場效應管 MOS管03P03
低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的引腳圖：
低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的極限參數(shù)：
（如無特殊說明,TA=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | BVDSS | -30 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | |
| 漏極電流-連續(xù)（TC=25℃） | ID | -85A | A |
| 漏極電流-連續(xù)（TC=100℃） | -65 | ||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | -260 | |
| 雪崩電流 | IAS | -80 | |
| 雪崩能量 | EAS | 320 | mJ |
| 重復雪崩能量 | EAR | 160 | |
| 功耗（TC=25℃） | PD | 69 | W |
| 功耗（TC=100℃） | 27 | ||
| 工作結(jié)溫和存儲溫度 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的電特性：
（如無特殊說明,TJ=25℃）
| 參數(shù) | 符號 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | V(BR)DSS | -30 | V | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(th) | -1 | -1.5 | -3 | |
| 柵極漏電流 | IGSS | ±100 | nA | ||
零柵壓漏極電流 （VDS=-24V,VGS=0V） | IDSS | -1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 （VDS=-20V,VGS=0V，TJ=125℃） | -10 | ||||
靜態(tài)漏源導通電阻 （VGS=-10V,ID=-30A） | RDS(ON) | 2.7 | 3.1 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 （VGS=-4.5V,ID=-30A） | 4 | 5 | |||
| 正向跨導 | gfs | 70 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | 6400 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 913 | |||
| 反向傳輸電容 | Ciss | 656 | |||
| 柵極總電荷 | Qg | 96.5 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 24.8 | |||
| 柵漏電荷密度 | Qgd | 13.8 |
低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的封裝外形尺寸：
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