MOS管15N10 貼片100V場(chǎng)效應(yīng)管 15N10 TO-252

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-12-08 17:47:20點(diǎn)擊：6次

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  MOS管15N10 貼片100V場(chǎng)效應(yīng)管 15N10 TO-252

  
  

  
  

  

  
  

  
  

  貼片100V場(chǎng)效應(yīng)管 15N10的應(yīng)用：

  • 負(fù)載開關(guān)

  • PWN 應(yīng)用程序

  • 電源管理
    

  
  

  
  

  貼片100V場(chǎng)效應(yīng)管 15N10的極限值：

  （如無(wú)特殊說明，T_C=25℃）

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	100	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	14.1	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	8.1
  IDM	漏極電流-脈沖	28
  PD	功耗 TC=25℃	20.8	W
  	功耗 TA=25℃	2
  EAS	單脈沖雪崩能量	8	mJ
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~150	℃
  TJ	結(jié)溫	-55~150

  
  

  
  

  貼片100V場(chǎng)效應(yīng)管 15N10的電特性：

  （如無(wú)特殊說明，T_J=25℃）

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	100	107		V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1	1.5	2.5
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1.2
  零柵壓漏極電流	IDSS			1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=10A,VGS=10V	RDS(ON)		88	108	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=8A,VGS=4.5V			93	125
  輸入電容	CISS		610		pF
  輸出電容	COSS		40
  反向傳輸電容	Crss		25
  總電荷	Qg		12		nC
  柵源電荷密度	Qgs		2.2
  柵漏電荷密度	Qgd		2.5

  
  

  
  

  貼片100V場(chǎng)效應(yīng)管 15N10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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