MOS管8205 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205 貼片MOSFET

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-23 11:58:08點(diǎn)擊：6次

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  MOS管8205 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205 貼片MOSFET

  
  

  
  

  N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205的引腳圖：

   

  
  

  
  

  N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205的描述：

          8205是共漏極N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。具有快速開(kāi)關(guān)，超低導(dǎo)通電阻和高性價(jià)比的特點(diǎn)。該器件適用于電池保護(hù)或低壓開(kāi)關(guān)的電路。

  
  

  
  

  N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 鋰電池充電保護(hù)

  • 電源管理

  • 便攜式設(shè)備

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)
    

  
  

  
  

  N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205的特點(diǎn)：

  • R_DS(ON)≤28mΩ@V_GS=4.5V

  • 超低門(mén)電荷(電荷 23nC)

  • 低反向傳輸電容(CRSS=典型150pF)

  • 快速切換功能

  • 提高 dv/dt 能力，高耐用性

  • 低導(dǎo)通電阻

  • 低驅(qū)動(dòng)電流

  • 低柵極電壓 2.5V

  • V_DS=20V

  • I_D=6A@V_GS=4.5V
    

  
  

  
  

  N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205的極限值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏源電壓	VDSS	20	V
  柵源電壓	VGSS	±12
  漏極電流-連續(xù)(注2)	ID	6	A
  漏極電流-脈沖(注2)	IDM	20
  功耗（TSSOP8）(Ta=25℃)（注3）	PD	1	W
  功耗（SOT23-6）(Ta=25℃)（注3）		1.14
  熱阻，結(jié)到環(huán)境(TSSOP8)(注2)	θJA	125	℃/W
  熱阻，結(jié)到環(huán)境(SOT23-6)(注2)		110
  結(jié)溫	TJ	+150	℃
  存儲(chǔ)溫度	TSTG	-55~+150

  注：

  1、極限參數(shù)是指那些超過(guò)該值可能永久損壞設(shè)備的值。極限參數(shù)僅為壓力額定值，并不暗示功能性器件操作。

  2、脈沖測(cè)試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%。

  3、脈沖寬度受TJ最大值限制。

  
  

  
  

  N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205的典型參數(shù)：

  T_J=25℃，除非另有規(guī)定

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏源擊穿電壓	BVDSS	20			V
  漏源漏電流	IDSS			1	uA
  柵源漏電流	IGSS			±100	nA
  柵極門(mén)限電壓	VGS(TH)	0.5		1.5	V
  漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A	RDS(ON)			28	mΩ
  漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=5.2A				42
  輸入電容	CISS		1035		pF
  輸出電容	COSS		320
  反向傳輸電容	CRSS		150
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	tD(ON)		30		ns
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tR		70
  關(guān)閉延遲時(shí)間	tD(OFF)		40
  關(guān)閉上升時(shí)間	tF		65
  柵極總電荷	QG		23		nC
  柵源電荷	QGS		4.5
  柵漏電荷	QGD		7

  
  

  
  

  N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 8205的典型特性曲線：

  

  
  

  
  

  
  

  
  

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