場效應管具體有哪些特點?場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。與雙極型晶體管相比,場效應管具有如下特點。
(1)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);
(2)場效應管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。
(3)它是利用多數(shù)載流子導電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
(5)場效應管的抗輻射能力強;
(6)由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
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