達林頓芯片半導(dǎo)體器件的場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較？

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-11-12 14:29:43點擊：6次

•         1、達林頓芯片半導(dǎo)體器件的場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

  

          2、場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，而晶體管是既利用多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，由于少數(shù)載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。

  
  

          3、場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負，因此靈活性比晶體管好。

  
  

          4、場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

  
  

          5、場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。

  
  

          6、晶體管導(dǎo)通電阻大，場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小，只有幾百mΩ，使用場效應(yīng)管做電子開關(guān)的效率比晶體管高。

  
  

  
  

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