低內(nèi)阻MOS管 EMF02P02H EDFN5X6 P溝道場效應(yīng)管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-10 11:06:55點(diǎn)擊：6次

• 
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMF02P02H EDFN5X6 P溝道場效應(yīng)管

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMF02P02H的極限值：

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-20	V
  柵極-源極電壓	VGS	±12
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	-100	A
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		-73
  漏極電流-脈沖	IDM	-400
  雪崩電流	IAS	-100
  雪崩能量	EAS	500	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	250
  功耗 TC=25℃	PD	69	W
  功耗 TC=100℃		27
  工作結(jié)溫和存儲溫度范圍	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMF02P02H的引腳圖：

  

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMF02P02H的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)
  

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  柵極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-20			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-0.4	-0.6	-1.2
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-12V,VGS=0V,TJ=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-20A	RDS(ON)		2.4	2.7	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-20A			2.7	3.2
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-20A			3.4	4.1
  正向跨導(dǎo)	gfs		65		S
  輸入電容	Ciss		11116		pF
  輸出電容	Coss		1303
  反向傳輸電容	Crss		592
  柵源電荷密度	Qgs		18		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		16
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		20		ns
  開啟上升時(shí)間	tr		55
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		270
  開啟下降時(shí)間	tf		100

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMF02P02H的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

  ---

  聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時(shí)和您確認(rèn)，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失，請電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當(dāng)處理措施；郵箱：limeijun@yushin88.com