P溝道MOSFET GM4375 SOT-23 MOS場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-04 17:38:20點(diǎn)擊：6次

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  P溝道MOSFET GM4375 SOT-23 MOS場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM4375的引腳圖：
  

  

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM4375的極限值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-40	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù)	ID	-3	A
  漏極電流-脈沖	IDM	-5
  總耗散功率 TA=25℃	PD	1000	mW
  熱阻	RθJA	150	℃/W
  結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度	TJ,Tstg	150℃，-55~+150℃

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM4375的電特性：

  如無(wú)特殊說明，T_A=25℃

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	-40			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1		-3
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			-1
  零柵壓漏極電流	IDSS			-1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-5A,VGS=-10V	RDS(ON)		75	80	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-4A,VGS=-4.5V			115	120
  輸入電容	CISS		573		pF
  共源輸出電容	COSS		110
  開啟時(shí)間	t(on)			55	ns
  關(guān)斷時(shí)間	t(off)			120

  
  

  
  

  P溝道MOSFET GM4375的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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