雙N溝道場效應(yīng)管 EMB17A03H EDFN 5X6封裝MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-10-28 10:00:42點擊：6次

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  雙N溝道場效應(yīng)管 EMB17A03H EDFN 5X6封裝MOS管

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 EMB17A03H的引腳圖：

  

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 EMB17A03H的極限值：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	16	A
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		10
  漏極電流-脈沖	IDM	64
  雪崩電流	IAS	16
  雪崩能量	EAS	5	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	2.5
  功耗 TC=25℃	PD	25	W
  功耗 TC=100℃		10
  結(jié)溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 EMB17A03H的電特性：

  (除非有特殊要求，T_C=25℃)

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	30			V
  柵極開啟電壓	VGS(TH)	1	1.5	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V,TJ=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=16A	RDS(ON)		14.5	17	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A			21	26
  正向跨導(dǎo)	gfs		18		S
  輸入電容	Ciss		597		pF
  輸出電容	Coss		111
  反向傳輸電容	Crss		96
  柵源電荷密度	Qgs		1.8		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		4.7
  開啟延遲時間	td(on)		10		nS
  開啟上升時間	tr		15
  關(guān)斷延遲時間	td(off)		35
  開啟下降時間	tf		20

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 EMB17A03H的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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