N溝道MOS管 EMB07N03V EDFN 3X3 小封裝場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-10-20 16:02:30點(diǎn)擊：6次

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  N溝道MOS管 EMB07N03V EDFN 3X3 小封裝場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMB07N03V的引腳圖：

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMB07N03V的引腳圖：
  

  如無(wú)特殊說(shuō)明，T_A=25℃

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	24	A
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		17
  漏極電流-脈沖	IDM	96
  雪崩電流	IAS	15
  雪崩能量	EAS	11.25	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	5.62
  功耗 TC=25℃	PD	25	W
  功耗 TC=100℃		8
  功耗 TA=25℃		2.5
  功耗 TA=100℃		1
  工作結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMB07N03V的電特性：

  如無(wú)特殊說(shuō)明，T_J=25℃

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	30			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	1	1.5	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V，Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=14A	RDS(ON)		5.5	7	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A			6.5	9
  正向跨導(dǎo)	gfs		25		S
  輸入電容	Ciss		1014		pF
  輸出電容	Coss		163
  反向傳輸電容	Crss		93
  柵源電荷密度	Qgs		3.3		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		3.5
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		10		nS
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		10
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		20
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		15

  
  

  
  

  N溝道MOS管 EMB07N03V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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