可控硅TYN840 TO-220B 大電流單向可控硅

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-10-14 11:56:07點(diǎn)擊：6次

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  可控硅TYN840 TO-220B 大電流單向可控硅

  
  

  
  

  可控硅TYN840的應(yīng)用領(lǐng)域：

          TYN840可控硅應(yīng)用于：電加熱控制、電極調(diào)速、交流電開(kāi)關(guān)、交直流逆變

  
  

  
  

  可控硅TYN840的引腳圖：

  

  
  

  
  

  可控硅TYN840的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-220B

  
  

  
  

  可控硅TYN840的極限值(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM ----------------------------------  800V

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV) -----------------------------------------------  25A

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) -------------------------------------------  40A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM ----------------------------------------  460A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt ---------------------------------------  100A/μs

  • 門(mén)極峰值電流 I_GM -------------------------------------------------  4A

  • 門(mén)極平均功率 P_G(AV) ----------------------------------------------  1W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG -----------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j --------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  可控硅TYN840的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	最小值	最大值	單位
  IGT	門(mén)極觸發(fā)電流	5	35	mA
  VGT	門(mén)極觸發(fā)電壓		1.3	V
  VGD	門(mén)極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流		75	mA
  IL	擎住電流		150
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	600		V/μs
  VTM	通態(tài)壓降		1.6	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃		10	μA
  	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃		4	mA

  
  

  
  

  可控硅TYN840的熱阻：

  • 結(jié)到管殼的熱阻(AC) Rth(j-c)：0.8℃/W

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 Rth(j-a)：60℃/W
    

  
  

  
  

  可控硅TYN840的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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