30V杰力MOS管 EMB09N03H EDFN5X6 中低壓場效應管
30V杰力MOS管 EMB09N03H的引腳圖：
30V杰力MOS管 EMB09N03H的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 參數(shù)/測試條件 | 符號 | 數(shù)值 | 單位 | |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V | |
| 漏極-源極電壓 | BVDSS | 30 | ||
| 漏極電流-連續(xù) | TC=25℃ | ID | 50 | A |
| TC=100℃ | 35 | |||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | 140 | ||
| 雪崩電流 | IAS | 37.5 | ||
| 雪崩能量 | L=0.1mH,ID=37.5A,RG=25Ω | EAS | 70 | mJ |
| 重復雪崩能量 | L=0.05mH | EAR | 15 | |
| 功耗 | TC=25℃ | PD | 50 | W |
| TC=100℃ | 20 | |||
| 工作結溫和存儲溫度范圍 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ | |
30V杰力MOS管 EMB09N03H的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 參數(shù) | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | V | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 1.7 | 3 | |
| 柵極漏電流 | IGSS | VDS=0V,VGS=±20V | ±100 | nA | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=24V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| VDS=20V,VGS=0V,TJ=125℃ | 25 | |||||
| 靜態(tài)漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=25A | 7.5 | 9 | mΩ | |
| VGS=4.5V,ID=15A | 11 | 13.5 | ||||
| 正向跨導 | gfs | VDS=5V,ID=20A | 20 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | VGS=0V,VDS=15V,f=1MHz | 828 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 196 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 174 | ||||
| 柵源電荷密度 | Qgs | VDS=15V,VGS=10V,ID=25A | 2.8 | nC | ||
| 柵漏電荷密度 | Qgd | 7.4 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDS=15V,ID=20A,VGS=10V,RGS=2.7Ω | 8 | ns | ||
| 開啟上升時間 | tr | 18 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 20 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 3 |
30V杰力MOS管 EMB09N03H的封裝外形尺寸：
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