650V高壓MOS管 GMN6521 SOT-23 貼片場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-09-12 10:29:04點(diǎn)擊：6次

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  650V高壓MOS管 GMN6521 SOT-23 貼片場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 GMN6521的引腳圖：

  

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 GMN6521的極限值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	650	V
  柵極-源極電壓	VGS	±30
  漏極電流-連續(xù)	ID	210	mA
  漏極電流-脈沖	IDM	2	A
  總耗散功率(TA=25℃)	PD	900	mW
  結(jié)溫	TJ	150	℃
  存儲(chǔ)溫度	Tstg	-55~+150

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 GMN6521的電特性：

  (如無(wú)特說(shuō)說(shuō)明，T_A=25℃)

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓 ID=250uA,VGS=0V	BVDSS	650			V
  柵極開(kāi)啟電壓 ID=250uA,VGS=VDS	VGS(th)	2.5		3.8
  內(nèi)附二極管正向壓降 IS=2A,VGS=0V	VSD			1.2
  零柵壓漏極電流 VGS=0V,VDS=500V	IDSS			1	uA
  柵極漏電流 VGS=±30V,VDS=0V	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=0.5A,VGS=10V	RDS(ON)		16	19	Ω
  輸入電容 VGS=0V,VDS=400V,f=1MHz	CISS		120		pF
  輸出電容 VGS=0V,VDS=400V,f=1MHz	COSS		20
  開(kāi)啟時(shí)間 VDS=300V,ID=0.2A,RGEN=6Ω	t(on)		6		ns
  關(guān)斷時(shí)間 VDS=300V,ID=0.2A,RGEN=6Ω	t(off)		8

  
  

  
  

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