貼片MOS管60N03 TO-252 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 60N03

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-09-10 14:48:18點(diǎn)擊：6次

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  貼片MOS管60N03 TO-252 國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管 60N03

  
  

  
  

  貼片MOS管 60N03的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)
    

  
  

  
  

  貼片MOS管60N03的引腳圖：

  

  
  

  
  

  貼片MOS管60N03的極限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	30	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) TC=25℃	60	A
  	漏極電流-連續(xù) TC=100℃	37
  PD	功耗(TC=25℃)	54	W
  	功耗(TC=100℃)	21
  TJ,TSTG	結(jié)溫，存儲(chǔ)溫度	-55~150	℃

  
  

  
  

  貼片MOS管60N03的電特性(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V,ID=250uA	30			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(TH)	VDS=VGS,ID=250uA	1	1.7	3
  柵極漏電流	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V			±100	nA
  零柵壓漏極電流	IDSS	VDS=20V,VGS=0V			1	uA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=15A		8.5	10	mΩ
  		VGS=4.5V,ID=15A		12	15
  輸入電容	Ciss	VGS=0V,VDS=30V,f=1MHz		920		pF
  輸出電容	Coss			187
  反向傳輸電容	Crss			130
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)	VDD=15V,RL=30Ω ID=15A,VGS=10V RG=6Ω		15		ns
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr			25
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)			60
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf			17
  柵源電荷密度	Qgs	VDS=15V,VGS=10V,ID=15A		5		nC
  柵漏電荷密度	Qgd			6.5

  
  

  
  

  貼片MOS管60N03的封裝外形尺寸：

  

  
  

  

  
  

  
  

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