PMOS管 EMF21P02V EDFN3X3 -20V場效應管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-09-03 16:28:34點擊：6次

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  PMOS管 EMF21P02V EDFN3X3 -20V場效應管

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的引腳圖：

  

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的極限值(除非有特殊要求，T_A=25℃)：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS：-20V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±12V

  • 漏極電流-連續(xù)(T_A=25℃) I_D：-14A

  • 漏極電流-連續(xù)(T_A=70℃) I_D：-10.5A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：-56A

  • 功耗(T_A=25℃) P_D：2.5A

  • 功耗(T_A=70℃) P_D：1.25A

  • 結(jié)溫和存儲溫度 T_j,T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的電特性(除非有特殊要求，T_J=25℃)：

  參數(shù)	符號	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-20			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-0.3	-0.75	-1.2
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±12V	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-16V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-9A	RDS(ON)		16	21	mΩ
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-2.5V,ID=-5A			19	25
  靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-1.8V,ID=-3A			26	40
  正向跨導	gfs		22		S
  輸入電容	Ciss		3100		pF
  輸出電容	Coss		460
  反向傳輸電容	Crss		413
  柵源電荷密度	Qgs		2.2		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		5.7
  開啟延遲時間	td(on)		20		nS
  開啟上升時間	tr		50
  關(guān)斷延遲時間	td(off)		95
  開啟下降時間	tf		60

  
  

  
  

  PMOS管 EMF21P02V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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