MOS管06N03V 杰力場(chǎng)效應(yīng)管 EMB06N03V EDFN 3X3

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-08-31 10:24:45點(diǎn)擊：6次

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  MOS管06N03V 杰力場(chǎng)效應(yīng)管 EMB06N03V EDFN 3X3

  
  

  
  

  杰力場(chǎng)效應(yīng)管 EMB06N03V的引腳圖：

  

  
  

  
  

  杰力場(chǎng)效應(yīng)管 EMB06N03V的極限值(如無(wú)特殊要求，T_C=25℃)：

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS：30V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù)(T_C=25℃) I_D：26A

  • 漏極電流-連續(xù)(T_C=100℃) I_D：18.5A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：104A

  • 雪崩電流 I_AS：14A

  • 雪崩能量 E_AS：9.8mJ

  • 重復(fù)雪崩能量 E_AR：4.9mJ

  • 功耗(T_C=25℃) P_D：25W

  • 功耗(T_C=100℃) P_D：8W

  • 功耗(T_A=25℃) P_D：2.5W

  • 功耗(T_A=100℃) P_D：1W

  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 T_j,T_stg：-55~150℃

  
  

  
  

  杰力場(chǎng)效應(yīng)管 EMB06N03V的電特性(如無(wú)特殊要求，T_C=25℃)：

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	30			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	1	1.5	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V,Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=14A	RDS(ON)		5	6	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A			7.5	9.5
  正向跨導(dǎo)	gfs		25		S
  輸入電容	Ciss		1983		pF
  輸出電容	Coss		328
  反向傳輸電容	Crss		287
  柵源電荷密度	Qgs		4.8		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		9.7
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		9		nS
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		20
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		25
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		3

  
  

  
  

  杰力場(chǎng)效應(yīng)管 EMB06N03V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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