BTB12技術(shù)參數(shù) 雙向可控硅 BTB12

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-08-26 10:30:59點擊：6次

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  BTB12技術(shù)參數(shù) 雙向可控硅 BTB12

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTB12的特點：

  • NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結(jié)溫高，換向能力強

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-220B、TO-263
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTB12的應(yīng)用：

          BTB12雙向可控硅應(yīng)用于：加熱控制器、調(diào)速控制器、洗衣機、攪拌機、咖啡壺、電動工具、吸塵器等家用電器。

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTB12的引腳圖：

     

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTB12的極限值(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM --------------------------------------  600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) -----------------------------------------------  12A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM --------------------------------------------  120A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt -------------------------------------------  50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM -----------------------------------------------------  4A

  • 門極平均功率 P_G(AV) --------------------------------------------------  1W

  • 存儲溫度 T_STG ---------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j ------------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTB12的電特性：

  1、三象限參數(shù)：
  

  符號	參數(shù)	數(shù)值			單位
  		TW	SW	CW
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤5	≤10	≤35	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3			V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤10	≤15	≤35	mA
  IL	擎住電流 I-III	≤10	≤25	≤50
  	擎住電流 II	≤15	≤30	≤60
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥20	≥40	≥500	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55			V

  
  

  
  

  2、四象限參數(shù)：

  符號	參數(shù)	數(shù)值			單位
  		S	C	B
  IGT	門極觸發(fā)電流 I-II-III	≤10	≤25	≤50	mA
  	門極觸發(fā)電流 IV	≤25	≤50	≤100
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3			V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤25	≤30	≤50	mA
  IL	擎住電流 I-III-IV	≤30	≤40	≤50
  	擎住電流 II	≤40	≤60	≤80
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥100	≥200	≥500	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55			V

  
  

  
  

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