單向可控硅C106 4A國產可控硅 C106

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-08-21 16:06:46點擊：6次

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  單向可控硅C106 4A國產可控硅 C106

  
  

  
  

  4A國產可控硅 C106的應用領域：

          脈沖點火器、負離子發(fā)生器、邏輯電路驅動、直發(fā)器、調光開關、咖啡壺、LED 控制器...

  
  

  
  

  4A國產可控硅 C106的特點：
  

  • PNPN 四層結構的硅單向器件

  • 門極靈敏觸發(fā)

  • P 型對通擴散隔離

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-126
    

  
  

  
  

  4A國產可控硅 C106的引腳圖：

  

  
  

  
  

  4A國產可控硅 C106的極限值(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復峰值電壓 V_DRM/V_RRM --------------------------------------------- 600/800V

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV) ---------------------------------------------------------- 2.55A

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) ------------------------------------------------------ 4A

  • 通態(tài)不重復浪涌電流 I_TSM ---------------------------------------------------- 20A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt --------------------------------------------------- 50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM ------------------------------------------------------------- 0.5A

  • 門極峰值功率 P_GM ------------------------------------------------------------ 0.1W

  • 門極平均功率 P_G(AV) ---------------------------------------------------------- 0.2W

  • 存儲溫度 T_STG -----------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結溫 T_j --------------------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  4A國產可控硅 C106的電特性：

  符號	參數	最小值	典型值	最大值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	10		200	μA
  VGT	門極觸發(fā)電壓		0.65	0.8	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流			3	mA
  IL	擎住電流			5
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10			V/μs
  VTM	通態(tài)壓降			1.55	V

  
  

  
  

  4A國產可控硅 C106的熱阻：

  符號	參數	數值	單位
  Rth(j-c)	結到管殼的熱阻(AC)	7.2	℃/W
  Rth(j-a)	結到環(huán)境的熱阻	100

  
  

  
  

  4A國產可控硅 C106的參數特性曲線：

  

  
  

  
  

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