BT169可控硅引腳圖 單向可控硅 BT169

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-08-19 10:03:04點(diǎn)擊：6次

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  BT169可控硅引腳圖 單向可控硅 BT169

  
  

  
  

  單向可控硅 BT169的應(yīng)用領(lǐng)域：

          BT169可控硅應(yīng)用于：脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動(dòng)、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動(dòng)等。

  
  

  
  

  單向可控硅 BT169的引腳圖：

  

  
  

  
  

  單向可控硅 BT169的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門(mén)極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝外形：SOT-23-3L、SOT-89-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  單向可控硅 BT169的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM ---------------------------------- 600/800V

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV) ----------------------------------------------- 0.5A

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) ------------------------------------------- 0.8A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM ----------------------------------------- 8A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt ---------------------------------------- 50A/μs

  • 門(mén)極峰值電流 I_GM -------------------------------------------------- 0.2A

  • 門(mén)極峰值功率 P_GM -------------------------------------------------- 0.5W

  • 門(mén)極平均功率 P_G(AV) ----------------------------------------------- 0.1W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG ------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j ----------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  單向可控硅 BT169的電特性：

  • 門(mén)極觸發(fā)電流 I_GT --------------------------------------- 10~200μA

  • 門(mén)極觸發(fā)電壓 V_GT -------------------------------------- 0.8V

  • 門(mén)極不觸發(fā)電壓 V_GD ----------------------------------- 0.2V

  • 維持電流 I_H ---------------------------------------------- 3mA

  • 擎住電流 I_L ---------------------------------------------- 4mA

  • 斷態(tài)電壓臨界上升率 dV_D/dt --------------------------- 10V/μs

  • 通態(tài)壓降 V_TM ------------------------------------------- 1.5V
    

  
  

  
  

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