雙向可控硅 BTA41-800B TO-3P 大芯片國產(chǎn)可控硅

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-08-12 10:49:52點(diǎn)擊：6次

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  雙向可控硅 BTA41-800B TO-3P 大芯片國產(chǎn)可控硅

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA41-800B的應(yīng)用領(lǐng)域：

          BTA41-800B可控硅應(yīng)用于：加熱控制器、交流馬達(dá)調(diào)速控制器、固態(tài)繼電器、電動(dòng)工具、熱水器、按摩器、功率補(bǔ)償?shù)取?/span>

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA41-800B的引腳圖：

  

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA41-800B的特點(diǎn)：
  

  • NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結(jié)溫高，換向能力強(qiáng)

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-3P
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA41-800B的極限值(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM ------------------------------------- 600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) ---------------------------------------------- 40A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM ------------------------------------------- 400A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt ------------------------------------------ 50A/us

  • 門極峰值電流 I_GM ---------------------------------------------------- 8A

  • 門極平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------- 1W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG --------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_J -----------------------------------------------------------  -40~+125℃
    

  
  

  
  

  雙向可控硅 BTA41-800B的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值		單位
  		CW	BW
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤35	≤50	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3		V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤50	≤75	mA
  IL	擎住電流 I-III	≤60	≤80
  	擎住電流 II	≤80	≤100
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥500	≥1000	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55		V

  
  

  
  

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