單向可控硅MCR100-8的型號(hào)替換 100-8中文資料

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-08-05 11:17:00點(diǎn)擊：6次

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  單向可控硅MCR100-8的型號(hào)替換 100-8中文資料

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門(mén)極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：SOT-23-3L、SOT-89-3L、SOT-223-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的應(yīng)用：

          MCR100-8可控硅應(yīng)用于：脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動(dòng)、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動(dòng)等。

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的可替代型號(hào)：

         MCR100-8是單向可控硅，可以用BT169或者M(jìn)CR100-6替換。以下是各型號(hào)參數(shù)供大家參考：

  
  

  
  

  1、MCR100-8的參數(shù)：

  極限參數(shù)
  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	600/800	V
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	0.8	A
  IT(AV)	通態(tài)平均電流	0.5	A
  ITSM	通態(tài)不重復(fù)浪涌電流	8	A
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結(jié)溫	-40~+110	℃
  電特性
  IGT	門(mén)極觸發(fā)電流	10~200	μA
  VGT	門(mén)極觸發(fā)電壓	0.8	V
  VGD	門(mén)極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流	3	mA
  IL	擎住電流	4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10	V/μs
  VTM	斷態(tài)壓降	1.5	V

  
  

  
  

  2、MCR100-6的參數(shù)特點(diǎn)：

  
  

  ⑴、MCR100-6的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件
    

  • 門(mén)極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：SOT-23-3L、TO-92

  
  

  
  

  ⑵、MCR100-6的參數(shù)：

  極限參數(shù)
  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	400	V
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	0.8	A
  IT(AV)	通態(tài)平均電流	0.5	A
  ITSM	通態(tài)不重復(fù)浪涌電流	8	A
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結(jié)溫	-40~+110	℃
  電特性
  IGT	門(mén)極觸發(fā)電流	10~80	μA
  VGT	門(mén)極觸發(fā)電壓	0.8	V
  VGD	門(mén)極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流	3	mA
  IL	擎住電流	4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10	V/μs
  VTM	斷態(tài)壓降	1.5	V

  
  

  
  

  3、BT169的參數(shù)特點(diǎn)：

  
  

  ⑴、BT169的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門(mén)極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝外形尺寸：SOT-23-3L、SOT-89-3L(反腳)、TO-92

  
  

  
  

  ⑵、BT169的參數(shù)：

  極限參數(shù)
  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	600/800	V
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	0.8	A
  IT(AV)	通態(tài)平均電流	0.5	A
  ITSM	通態(tài)不重復(fù)浪涌電流	8	A
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結(jié)溫	-40~+110	℃
  電特性
  IGT	門(mén)極觸發(fā)電流	10~200	μA
  VGT	門(mén)極觸發(fā)電壓	0.8	V
  VGD	門(mén)極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流	3	mA
  IL	擎住電流	4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10	V/μs
  VTM	斷態(tài)壓降	1.5	V

  
  

  
  

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