低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V EDFN3X3

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-07-25 10:02:03點(diǎn)擊：6次

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  低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V EDFN3X3

  
  

  
  

  低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的引腳圖：

  

  
  

  
  

  低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的極限值：

  除非有特殊說明，T_A=25℃
  

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±25
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	-26	A
  漏極電流-連續(xù) TA=25℃		-15
  漏極電流-連續(xù) TC=100℃		-19
  漏極電流-脈沖	IDM	-100
  雪崩電流	IAS	-26
  雪崩能量	EAS	33.8	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	16.9
  功耗 TC=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TC=100℃		1
  結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度	Tj,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的電特性：

  除非有特殊說明，T_J=25℃

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-15A	RDS(ON)		6.9	7.8	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A			8.5	11.5
  正向跨導(dǎo)	gfs		24		S
  輸入電容	Ciss		4294		pF
  輸出電容	Coss		634
  反向傳輸電容	Crss		566
  柵源電荷密度	Qgs		8.5		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		13
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		18		nS
  開啟上升時(shí)間	tr		26
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		22
  開啟下降時(shí)間	tf		75

  
  

  
  

  低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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