低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V EDFN3x3 貼片場效應管
低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的引腳圖：
低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的極限值：
如無特殊說明，TA=25℃
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | BVDSS | -30 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±25 | |
| 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | ID | -26 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TA=25℃ | -15 | ||
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | -19 | ||
| 漏極電流-脈沖 | IDM | -100 | |
| 雪崩電流 | IAS | -26 | |
| 雪崩能量 | EAS | 33.8 | mJ |
| 重復雪崩能量 | EAR | 16.9 | |
| 功耗 TC=25℃ | PD | 2.5 | W |
| 功耗 TC=100℃ | 1 | ||
| 結溫和存儲溫度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的電特性：
如無特殊說明，TJ=25℃
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | V(BR)DSS | -30 | V | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(th) | -1 | -1.5 | -3 | |
| 柵極漏電流 | IGSS | ±100 | nA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V | IDSS | -1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V,Tj=125℃ | -10 | ||||
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-10V,ID=-15A | RDS(ON) | 6.9 | 7.8 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 8.5 | 11.5 | |||
| 正向跨導 | gfs | 24 | S | ||
| 輸入電容 | Ciss | 4294 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 634 | |||
| 反向傳輸電容 | Crss | 566 | |||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 8.5 | nC | ||
| 柵漏電荷密度 | Qgd | 13 | |||
| 開啟延遲時間 | td(on) | 18 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 26 | |||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 22 | |||
| 開啟下降時間 | tf | 75 |
低內(nèi)阻P溝道MOS管 EMB07P03V的封裝外形尺寸：
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