如何判斷單向可控硅參數(shù)損壞原因分析？

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-07-20 18:13:52點(diǎn)擊：6次

•         單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無(wú)法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，那么如何判斷單向可控硅參數(shù)損壞原因分析？

  

          1、電壓擊穿。

   

          晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，損壞的面積小，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。

  
  

          2、電流損壞。

  
  

          電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。

  
  

          3 電流上升率損壞。

  
  

          其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

  
  

          4、 邊緣損壞。

  
  

          他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。

  
  

          5、G-K 電壓擊穿。

  
  

          晶閘管 G-K 間因不能承受反向電壓（12V）而損壞，其芯片 G-K 間有燒焦的通路（短路痕跡）。

  
  

  
  

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