100-6小電流可控硅 MCR100-6 微觸發(fā)可控硅

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-07-14 15:04:26點(diǎn)擊：6次

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  100-6小電流可控硅 MCR100-6 微觸發(fā)可控硅

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-6的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門極靈敏觸發(fā)

  • P 型對通擴(kuò)散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：SOT-23-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-6的引腳圖：

     

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-6的應(yīng)用領(lǐng)域：

          MCR100-6可控硅應(yīng)用于：脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動等等。

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-6的極限值：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM ---------------------------------------- 400V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) ------------------------------------------------- 0.8A

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV) ----------------------------------------------------- 0.5A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM ---------------------------------------------- 8A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt --------------------------------------------- 50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM ------------------------------------------------------- 0.2A

  • 門極峰值功率 P_GM ------------------------------------------------------ 0.5W

  • 門極平均功率 P_G(AV) ---------------------------------------------------- 0.1W

  • 存儲溫度 T_STG ----------------------------------------------------------- -40~150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j --------------------------------------------------------------- -40~110℃
    

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-6的電特性：

  符號	參數(shù)	最小值	最大值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	10	80	μA
  VGT	門極觸發(fā)電壓		0.8	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流		3	mA
  IL	擎住電流		4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10		V/μs
  VTM	通態(tài)壓降		1.5	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃		5	μA
  	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃		100

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-6的參數(shù)特性曲線：

  

  
  

  
  

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