可控硅型號BT131 1A雙向可控硅 BT131

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-06-01 10:40:23點(diǎn)擊：6次

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  可控硅型號BT131 1A雙向可控硅 BT131

  
  

  
  

  可控硅型號BT131的特點(diǎn)：

  • NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件

  • P 型對通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：SOT-89-3L、SOT-223-3L、TO-92
    

  
  

  
  

  可控硅型號BT131的引腳圖：

            

  
  

  
  

  可控硅型號BT131的應(yīng)用：

          加熱控制器、彩燈控制器、電飯煲、燃?xì)恻c(diǎn)火器、電風(fēng)扇調(diào)速器等

  
  

  
  

  可控硅型號BT131的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	600/800	V
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	1	A
  ITSM	通態(tài)不重復(fù)浪涌電流	16
  I2t	I2t 值	1.28	A2s
  dIT/dt	通態(tài)電流臨界上升率 I-II-III	50	A/μs
  	通態(tài)電流臨界上升率 IV	10
  IGM	門極峰值電流	2	A
  PGM	門極峰值功率	5	W
  PG(AV)	門極平均功率	0.5
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結(jié)溫	-40~+125

  
  

  
  

  可控硅型號BT131的電特性：

  符號	參數(shù)	數(shù)值		單位
  		D	E
  IGT	門極觸發(fā)電流 I-II-III	≤3	≤5	mA
  	門極觸發(fā)電流 IV	≤5	≤10
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3		V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤5	≤5	mA
  IL	擎住電流 I-III-IV	≤6	≤10
  	擎住電流 II	≤10	≤15
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥20	≥50	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55		V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	≤5		μA
  	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	≤100

  
  

  
  

  可控硅型號BT131的參數(shù)應(yīng)用曲線：
  

  
  

  
  

  可控硅型號BT131的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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