P溝道MOS管 EMB12P03V EDFN 3X3 貼片場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-05-29 10:18:52點(diǎn)擊：6次

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  P溝道MOS管 EMB12P03V EDFN 3X3 貼片場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  一、P溝道MOS管 EMB12P03V的引腳圖：

  

  
  

  
  

  二、P溝道MOS管 EMB12P03V的極限值：

  除非另有說(shuō)明，T_A=25℃
  

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TA=25℃	ID	-21	A
  漏極電流-連續(xù) TA=100℃		-16
  漏極電流-脈沖	IDM	-84
  雪崩電流	IAS	-13
  雪崩能量	EAS	8.45	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	4.23
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=100℃		1
  工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  三、P溝道MOS管 EMB12P03V的電特性：

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-30			V
  柵極-源極電壓	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  柵極漏電流 VDS=0V,VGS=±20V	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=-20V,VGS=0V，Tj=125℃				-10
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-13A	RDS(ON)		10.5	12	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-9A			15	20
  正向跨導(dǎo)	gfs		30		S
  輸入電容	Ciss		2363		pF
  輸出電容	Coss		385
  反向傳輸電容	Crss		326
  柵源電荷密度	Qgs		5.6		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		8.5
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		15		nS
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		12
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		35
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		10

  
  

  
  

  四、P溝道MOS管 EMB12P03V的封裝外形尺寸：
  

  

  
  

  
  

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